유나이티드SiC, 최첨단 4세대 기술 기반 新 SiC FET 출시

[아이뉴스24 장유미 기자] SiC(실리콘 카바이드) 전력 반도체 기업인 유나이티드SiC가 최첨단 4세대 SiC FET 기술 플랫폼을 기반으로 한 첫 신제품을 선보이며 시장 공략에 본격 나선다.

유나이티드SiC는 750V SiC FET인 4세대 제품 4종을 업계 최초로 출시했다고 8일 밝혔다.

이 제품들은 자동차, 산업용 충전, 텔레콤 정류기, 데이터 센터 PFC 및 DC-DC 변환을 비롯해 재생 에너지 및 에너지 저장과 같은 전력 애플리케이션에 이점을 제공하는 선도적인 FoM(Figure of Merit)을 기반으로 새로운 성능 수준을 지원한다.

18mΩ(메가옴) 및 60mΩ 옵션으로 이용이 가능한 이들 SiC FET 신제품은 단위 면적당 온저항 감소와 낮은 고유 커패시턴스(intrinsic capacitance)로 타의 추종을 불허하는 FoM을 제공한다. 하드 스위칭 애플리케이션에서 4세대 FET는 가장 낮은 RDS(on) x EOSS(mΩ -uJ)를 나타내 턴온 및 턴오프 손실을 낮춘다.

소프트 스위칭 애플리케이션에서 낮은 RDS(on) x Coss(tr) (mohm-nF) 사양은 낮은 전도 손실과 높은 주파수를 제공한다. 이들 제품은 저온(25°C) 또는 고온(125°C) 동작 모두에서 기존의 경쟁 SiC MOSFET의 성능을 능가할 뿐만 아니라 낮은 데드 타임 손실과 향상된 효율성을 제공하는 역 회복 기능을 갖춘 최저 통합 다이오드 VF를 제공한다.

유나이티드SiC의 제품군을 750V로 확장하면서 이들 신제품은 더 많은 설계 헤드룸을 제공하고 설계 제약을 줄여준다. VDS 정격 또한 높기 때문에 400·500V 버스 전압 애플리케이션에 유용하다. +/- 20V, 5V Vth의 널리 호환되는 게이트 드라이브로 모든 장치를 0 ~12V 게이트 전압으로 구동할 수 있다. 이에 따라 기존 SiC MOSFET, Si IGBT 및 Si MOSFET 게이트 드라이버와 함께 연동이 가능하다.

아눕 발라 유나이티드SiC 엔지니어링 부사장은 "이번에 발표한 신제품들은 DC-DC 변환 및 온보드 충전에서 역률 보정 및 태양광 인버터에 이르기까지 전압 및 전력 수요가 가장 높은 분야에서 작업하는 엔지니어들이 직면한 문제를 해결하는데 도움을 줄 수 있다"며 "올해 비용 효율성, 열 효율성 및 설계 헤드룸을 더욱 개선할 새로운 4세대 제품을 많이 선보일 예정"이라고 밝혔다.

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