SK하이닉스, EUV 활용 10나노급 4세대 D램 첫 양산


[조이뉴스24 정미희 기자] SK하이닉스가 극자외선(EUV) 미세공정이 첫 적용된 10나노급 4세대(1a) 모바일 D램 양산에 돌입했다.

SK하이닉스는 10나노급 4세대(1a) 미세공정을 적용한 8Gbit(기가비트) LPDDR4 모바일 D램의 양산을 이달 초 시작했다고 12일 밝혔다.

반도체 업계는 10나노대 D램부터 세대별로 알파벳 기호를 붙여 호칭하고 있으며, 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대)에 이어 1a는 4세대 기술이다. 1a 기술이 적용된 모바일 D램 신제품은 하반기부터 스마트폰 제조사들에게 공급될 예정이다. 1a의 회로 선폭은 10㎚ 중반으로 알려져 있다.

특히 이 제품은 SK하이닉스의 D램 중 처음으로 EUV 공정 기술을 통해 양산된다는 의미가 있다. 앞서 SK하이닉스는 1y(2세대) 제품 생산 과정에서 EUV를 일부 도입해 안정성을 확인한 바 있다.

SK하이닉스가 EUV를 활용해 양산하는 10나노급 4세대 D램 [사진=SK하이닉스 ]

또한 이전 세대(1z)의 같은 규격 제품보다 웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있는 D램 수량이 25% 가까이 늘어 생산원가 측면에서도 SK하이닉스는 유리한 고지를 점할 수 있게 됐다. 조영만 SK하이닉스 1a D램 태스크포스(TF)장(부사장)은 "이번 1a D램은 생산성과 원가 경쟁력이 개선돼 높은 수익성을 기대할 수 있는 제품”이라며 “EUV를 양산에 본격 적용함으로써 최첨단 기술을 선도하는 기업으로서 위상을 공고히 할 수 있을 것"이라고 말했다.

이번 신제품은 LPDDR4 모바일 D램 규격의 최고 속도(4천266Mbps)를 안정적으로 구현하면서도 기존 제품 대비 전력 소비를 약 20% 줄였다. 저전력 강점을 보강함으로써 탄소 배출을 줄일 수 있어 SK하이닉스는 이 제품이 ESG 경영 관점에서도 의미가 있다고 본다.

SK하이닉스는 이번 LPDDR4 제품에 이어, 지난해 10월 세계 최초로 출시한 차세대 D램인 DDR5에는 내년 초부터 1a 기술을 적용할 계획이다.

/정미희 기자(jmh@joynews24.com)







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